| Каталог продукции | Особенности замены транзисторов в сотовой аппаратуре Прочее При разработке, ремонте и эксплуатации бытовой электроники следует принимать во внимание ее специфические характеристики. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость характеристик от режима работы, а также изменение характеристик транзисторов в процессе эксплуатации. Электронные приборы сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных для разных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации аппаратуры могут изменяться в широких пределах. Эти условия характеризуются внешними механическими нагрузками и климатическими воздействиями (температурными и др.). Общие условия, справедливые для всех биполярных транзисторов, предназначенных для использования в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях. Нормы на значения электрических характеристик и специфические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, содержатся в частных технических условиях. Для удобства конструирования и ремонта основные параметры транзисторов и их цоколевка собраны в справочнике. К преимуществам Интернет справочника надо отнести его общедоступность, пополняемость, простой поиск требуемого транзистора по маркировке и аналогу. Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые параметры транзисторов и свойства могут изменяться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних факторов служат корпуса приборов. Конструктивное оформление электронных приборов рассчитано на их применение в составе аппаратуры при любых допустимых условиях применения. Необходимо запомнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании электронных приборов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них транзисторами важно покрывать лаком не менее чем в три слоя. Все большее распространение получают так называемые бескорпусные транзисторы, изготовленные для применения в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких транзисторов защищены специальным покрытием, но оно не дает хорошей защиты от воздействия окружающей среды. Защита увеличивается общей герметизацией всей микросхемы. Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу радиоэлектронной аппаратуры, конструктор обязан не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить должные условия ее эксплуатации и хранения. Транзисторы - трехполюсники универсального назначения. Они могут быть без нареканий использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах. Но набор параметров и характеристик, приводимых в электронном справочнике, соответствует основному назначению транзистора. В справочнике даны значения параметров транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим транзистора в ремонтируемом блоке часто отличается от того режима, для которого приведены параметры в ТУ. Значения большинства параметров транзисторов зависят от рабочего режима и температуры, и с увеличением температуры значения параметров от режима видно более сильно. В справочнике даны, как правило, типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Данные зависимости обязаны использоваться при выборе типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как данные характеристик трехполюсников одного типа не одинаковы, а находятся в некотором диапазоне. Данный диапазон ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые характеристики имеют двустороннее ограничение. При конструировании компьютерной техники необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров транзисторов. Разброс характеристик транзисторов и их изменение во времени при настройке могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — способом граничных испытаний. Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении потенциала затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока. В отличие от транзисторов с управляющим р-n переходом, у которых рабочая область составляет от Uзи = 0 до напряжения запирания, МДП-транзисторы имеют высокое входное сопротивление при различных значениях потенциала на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора. |